FET 类型：N 和 P 沟道
FET 功能：标准
漏源电压（Vdss）：30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：15A（Tc），13A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：16 毫欧 @ 8A，10V，24 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：7nC @ 4.5V，11nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：646pF @ 15V，1089pF @ 15V
功率 - 最大值：6W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOP
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs